1. KSH44H11TF
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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

KSH44H11TF 

产品描述

Trans GP BJT NPN 80V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

内部编号

3-KSH44H11TF

#1

数量:585
1+¥2.9279
25+¥2.6967
100+¥2.6197
500+¥2.5427
1000+¥2.3885
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:2245
1+¥4.8548
10+¥3.7812
100+¥2.4411
1000+¥1.9556
2000+¥1.6479
4000+¥1.5863
10000+¥1.5795
24000+¥1.4906
50000+¥1.4633
最小起订量:1
美国加州
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#3

数量:18000
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
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KSH44H11TF产品详细规格

规格书 KSH44H11TF datasheet 规格书
KSH44H11TF datasheet 规格书
KSH44H11
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,000
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 8A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 80V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 1V @ 400mA, 8A
电流 - 集电极截止(最大) 10µA
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 40 @ 4A, 1V
功率 - 最大 1.75W
频率转换 50MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装 D-Pak
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3DPAK
类型 NPN
引脚数 3
最大集电极发射极电压 80 V
集电极最大直流电流 8 A
最小直流电流增益 60@2A@1V|40@4A@1V
最大工作频率 50(Typ) MHz
最大集电极发射极饱和电压 1@0.4A@8A V
工作温度 -65 to 150 °C
最大功率耗散 1750 mW
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
集电极最大直流电流 8
最低工作温度 -65
Maximum Transition Frequency 50(Typ)
包装宽度 6.1
PCB 2
最大功率耗散 1750
欧盟RoHS指令 Compliant
每个芯片的元件数 1
最大集电极发射极电压 80
供应商封装形式 DPAK
标准包装名称 DPAK
最高工作温度 150
包装长度 6.6
包装高度 2.3
最大基地发射极电压 5
封装 Tape and Reel
标签 Tab
铅形状 Gull-wing
电流 - 集电极( Ic)(最大) 8A
晶体管类型 NPN
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 50MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 1V @ 400mA, 8A
电流 - 集电极截止(最大) 10µA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 80V
供应商设备封装 TO-252-3
功率 - 最大 1.75W
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 40 @ 4A, 1V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 KSH44H11TFCT
工厂包装数量 2000
晶体管极性 NPN
发射极 - 基极电压VEBO 5 V
零件号别名 KSH44H11TF_NL
安装风格 SMD/SMT
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
直流集电极/增益hfe最小值 60
单位重量 0.009184 oz
集电极 - 发射极最大电压VCEO 80 V
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
集电极 - 发射极饱和电压 1 V
RoHS RoHS Compliant By Exemption
连续集电极电流 8 A
增益带宽产品fT 50 MHz
系列 KSH44H11
最低工作温度 - 65 C
集电极电流( DC)(最大值) 8 A
集电极 - 发射极电压 80 V
发射极 - 基极电压 5 V
频率(最大) 50 MHz
功率耗散 1.75 W
工作温度范围 -65C to 150C
包装类型 DPAK
元件数 1
直流电流增益(最小值) 60
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
频率 50 MHz
集电极电流(DC ) 8 A
直流电流增益 60
宽度 6.1 mm
品牌 Fairchild Semiconductor
长度 6.6 mm
身高 2.3 mm
Pd - Power Dissipation 20 W

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